• 【發(fā)布單位】河北省
• 【發(fā)布文號(hào)】冀政函[2003]10號(hào)
• 【發(fā)布日期】2003-02-17
• 【生效日期】2003-02-17
• 【失效日期】--
• 【文件來(lái)源】
• 【所屬類(lèi)別】地方法規(guī)

河北省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地專(zhuān)題報(bào)告

河北省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地專(zhuān)題報(bào)告

(冀政函[2003]10號(hào))





石家莊、秦皇島、廊坊、保定、邢臺(tái)市人民政府，鹿泉市、寧晉縣人民政府，省政府有關(guān)部門(mén)：



 省計(jì)委提出的《河北省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地專(zhuān)題報(bào)告》已經(jīng)省政府同意，現(xiàn)印發(fā)給你們。請(qǐng)有關(guān)市人民政府和省直有關(guān)部門(mén)按專(zhuān)題報(bào)告的建議要求，結(jié)合本地情況認(rèn)真研究落實(shí)，抓好河北省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地的建設(shè)。



 二○○三年二月十七日





 河北省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地專(zhuān)題報(bào)告



 一、產(chǎn)業(yè)背景



 所謂半導(dǎo)體材料，就是在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。其中，用于半導(dǎo)體器件制造的主要有鍺、硅以及以砷化鎵為代表的化合物半導(dǎo)體材料（磷化鎵、氮化鎵、磷化銦等）。鍺硅材料是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的新型混合半導(dǎo)體材料，用它制造的器件兼有鍺和硅的優(yōu)點(diǎn)，部分性能可與砷化鎵器件相比，而且價(jià)格低廉，并和現(xiàn)有硅器件生產(chǎn)線(xiàn)完全兼容，是一種很有發(fā)展前途的材料。這些材料的共同特點(diǎn)是，要求純度極高，拉成單晶、切成晶片后用于制造半導(dǎo)體器件。數(shù)十年來(lái)，由于價(jià)格低廉，資源豐富，硅單晶和多晶材料一直在市場(chǎng)上占主導(dǎo)地位。砷化鎵等化合物和鍺硅材料由于其能夠制造高性能的器件，得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。



 半導(dǎo)體器件主要包括集成電路和各類(lèi)分立器件、太陽(yáng)能電池以及高亮度發(fā)光管等。



 （一）集成電路和各類(lèi)分立器件是一切電子設(shè)備的核心



 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)需求也在大幅度增長(zhǎng)。近十年來(lái)的年均增長(zhǎng)率均在15％以上，有的年份增長(zhǎng)率高達(dá)30％以上。預(yù)計(jì)2001年全球半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)總規(guī)?？蛇_(dá)到2500－－2700億美元，到2005年將達(dá)到5000億美元以上，其中使用砷化鎵等化合物和鍺硅材料的高速集成電路、高亮度發(fā)光二極管等器件的發(fā)展速度達(dá)30％以上，又大大高于平均速度，這就對(duì)各種半導(dǎo)體材料的需求產(chǎn)生了巨大的拉動(dòng)作用。



 十幾年來(lái)，我國(guó)一直是世界上電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度最快的國(guó)家，年平均增長(zhǎng)率都在25％以上，不少年份的增長(zhǎng)率超過(guò)30％，高出國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值增速的數(shù)倍。在許多尖端技術(shù)領(lǐng)域接連取得突破，發(fā)展后勁十足，前景十分廣闊。我國(guó)已成為世界電子信息產(chǎn)業(yè)大國(guó)。因此，我國(guó)集成電路和各種分立半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)需求也在以大大高于世界市場(chǎng)增長(zhǎng)率的速度增長(zhǎng)，年均增長(zhǎng)率高達(dá)30％。但是，國(guó)內(nèi)所需集成電路的近80％（主要是中高檔產(chǎn)品）和大部分功率器件（電力電子設(shè)備所用的高反壓大電流器件）需要進(jìn)口。這種局面形成了對(duì)我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的根本性制約因素。為改變這一局面，2000年國(guó)務(wù)院發(fā)布了旨在鼓勵(lì)軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的國(guó)發(fā)〔2000〕18號(hào)文件。18號(hào)文件頒布后，全國(guó)各主要省、市紛紛出臺(tái)了更加優(yōu)惠的地方性實(shí)施辦法和政策。特別是北京、上海和深圳，由于其堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)、優(yōu)越的地理位置和發(fā)展環(huán)境等原因，形成了集成電路產(chǎn)業(yè)大發(fā)展的良好氣候。為此，他們制訂了宏大的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃。在未來(lái)十年內(nèi)，將投入數(shù)百億美元，建設(shè)10―15條8英寸（200ｍｍ）及以上的超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線(xiàn)。我國(guó)18號(hào)文件的出臺(tái)，更是大大刺激了美、日、韓、臺(tái)等國(guó)家和地區(qū)對(duì)我國(guó)大陸投資的積極性。特別是臺(tái)灣地區(qū)（其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總規(guī)模已超過(guò)南韓、次于美、日而居世界第三位），對(duì)在大陸投資和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的積極性最高。2001年年底，他們分別在北京和上海同我國(guó)業(yè)界舉行了大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會(huì)，并制訂了大規(guī)模的發(fā)展規(guī)劃。其它具有一定條件和基礎(chǔ)的省、市也制訂了相應(yīng)發(fā)展計(jì)劃。我國(guó)將在不長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)，成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大國(guó)，已是不爭(zhēng)的事實(shí)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，必然對(duì)半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)需求，產(chǎn)生巨大的拉動(dòng)作用。



 （二）太陽(yáng)能電池，也稱(chēng)為硅光伏器件，是取之不盡用之不竭的綠色能源



 隨著人們環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，各發(fā)達(dá)國(guó)家高度重視充分利用太陽(yáng)能這種綠色能源，相繼制訂了一系列鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用的優(yōu)惠政策和龐大的應(yīng)用計(jì)劃。如美國(guó)總統(tǒng)克林頓1997年6月26日在聯(lián)合國(guó)環(huán)境與發(fā)展特別會(huì)議上宣布了百萬(wàn)屋頂計(jì)劃，日本、德國(guó)、意大利等發(fā)達(dá)國(guó)家都制訂和宣布了類(lèi)似的計(jì)劃。印度是第三世界推廣太陽(yáng)能的排頭兵，也已制訂了鼓勵(lì)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的政策和在全國(guó)推廣150萬(wàn)套太陽(yáng)能屋頂計(jì)劃。在這種大的背景下，世界硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)量的增長(zhǎng)率多年來(lái)都在30％以上。2000、2001年的增長(zhǎng)速度更是超過(guò)了40％，2001年總產(chǎn)量接近400ＭＷ。預(yù)計(jì)，在此后相當(dāng)長(zhǎng)的一個(gè)時(shí)期內(nèi)，太陽(yáng)能電池產(chǎn)量的增長(zhǎng)速度仍將保持目前的勢(shì)頭。近年來(lái)，我國(guó)大力發(fā)展太陽(yáng)能電池生產(chǎn)和應(yīng)用的呼聲越來(lái)越高。國(guó)家已經(jīng)和正在出臺(tái)鼓勵(lì)發(fā)展及應(yīng)用的一系列政策。部分省、市和企業(yè)也在制訂大規(guī)模發(fā)展太陽(yáng)能電池的計(jì)劃。我國(guó)快速發(fā)展太陽(yáng)能電池的時(shí)代已經(jīng)到來(lái)。目前，太陽(yáng)能電池的主要原材料是半導(dǎo)體級(jí)多晶硅棒和單晶硅的頭尾料及半導(dǎo)體器件企業(yè)的廢品硅片，材料來(lái)源較為豐富。



 （三）高亮度發(fā)光二極管（ＬＥＤ）和激光二極管（ＬＤ）是發(fā)光效率極高的光電半導(dǎo)體器件



 高亮度發(fā)光二極管（ＬＥＤ）和激光二極管（ＬＤ）廣泛用于各種信號(hào)燈、大屏幕顯示系統(tǒng)、現(xiàn)代通信、激光唱機(jī)、ＤＶＤ、高效節(jié)能電光源（發(fā)光效率是白熾燈的4倍以上）等領(lǐng)域。目前，全世界的年需求量已達(dá)數(shù)百億只，而且還在以每年30％以上的速度增長(zhǎng)。全世界59―61％的化合物半導(dǎo)體材料用于制造ＬＥＤ和ＬＤ，這就對(duì)以砷化鎵為代表的化合物半導(dǎo)體材料產(chǎn)生了巨大的市場(chǎng)需求。



 隨著信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，對(duì)各種半導(dǎo)體材料的需求快速增長(zhǎng)，價(jià)格一直在上升，半導(dǎo)體材料已成為信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。一些發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)也在向我國(guó)尋求材料供應(yīng)，大力發(fā)展半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)適逢其時(shí)。



 二、我省現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和科技儲(chǔ)備



 目前，我省在半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)和相關(guān)科技成果方面已具備相當(dāng)?shù)漠a(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和一批實(shí)用科研成果，從目前已投產(chǎn)的產(chǎn)品看，都具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。我國(guó)加入ＷＴＯ，將為這些企業(yè)帶來(lái)更大的發(fā)展機(jī)遇。主要企業(yè)和單位有：



 （一）寧晉晶隆半導(dǎo)體廠(chǎng)



 寧晉晶隆半導(dǎo)體廠(chǎng)是采用直拉法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)硅單晶和晶片的專(zhuān)業(yè)廠(chǎng)，1996年由寧晉縣電力局和河北工業(yè)大學(xué)共同創(chuàng)辦，是我省產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的示范工程。自投產(chǎn)以來(lái)，企業(yè)發(fā)展速度很快，經(jīng)濟(jì)效益很好，技術(shù)不斷進(jìn)步。該企業(yè)現(xiàn)擁有硅單晶爐60臺(tái)（含和日本松宮的合資企業(yè)，下同），可拉制3英寸－－6英寸的硅單晶。2001年產(chǎn)量為120噸，是目前亞洲最大的太陽(yáng)能級(jí)硅單晶企業(yè)。2002年將和日本松宮公司進(jìn)一步擴(kuò)大合資規(guī)模，再增加40臺(tái)單晶爐，使單晶爐總臺(tái)數(shù)達(dá)到100臺(tái)，總產(chǎn)量達(dá)到200噸以上，從而成為世界最大的太陽(yáng)能級(jí)硅單晶產(chǎn)業(yè)基地。此外，企業(yè)現(xiàn)有內(nèi)園式切片機(jī)20多臺(tái)，將部分單晶硅棒加工成硅片（部分為二極管硅片），進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的附加值。2001年，企業(yè)的利稅總額為1500萬(wàn)元。依托河北工業(yè)大學(xué)雄厚的技術(shù)基礎(chǔ)，單晶成品率不斷提高，現(xiàn)在的成品率在60％以上，居全國(guó)領(lǐng)先地位。



 2002年晶隆半導(dǎo)體廠(chǎng)獨(dú)資引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)的硅片線(xiàn)切割機(jī)，將部分單晶棒加工成硅片，以提高附加值。該項(xiàng)目已由省計(jì)委批復(fù)項(xiàng)目可研，正在實(shí)施中。在“十五”后期，晶隆半導(dǎo)體廠(chǎng)和松宮進(jìn)一步擴(kuò)大合資規(guī)模，再上100臺(tái)單晶爐，使單晶硅產(chǎn)量達(dá)到400噸以上，其中三分之一以上加工成硅片。



 晶隆半導(dǎo)體廠(chǎng)下一步的規(guī)劃思路：一是將現(xiàn)有產(chǎn)品向終端產(chǎn)品―――太陽(yáng)能電池延伸，二是提高產(chǎn)品檔次。開(kāi)發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體級(jí)單晶硅片。具體規(guī)劃項(xiàng)目：1、在近年新上一個(gè)年產(chǎn)3ＭＷ的高轉(zhuǎn)換效率單晶硅太陽(yáng)能電池項(xiàng)目，進(jìn)一步提高硅的附加值，使晶隆成為我國(guó)主要的太陽(yáng)能電池企業(yè)之一。2、根據(jù)我國(guó)目前集成電路產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展的大趨勢(shì)，做好年產(chǎn)300－－500萬(wàn)片半導(dǎo)體級(jí)單晶硅片項(xiàng)目的前期工作。初步計(jì)劃半導(dǎo)體級(jí)硅單晶片項(xiàng)目將于“十五”末啟動(dòng)，“十一五”初建成。屆時(shí)晶隆半導(dǎo)體廠(chǎng)將成為我國(guó)主要半導(dǎo)體級(jí)硅片專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)企業(yè)之一，同時(shí)，普興公司也將就近獲得價(jià)格低廉、質(zhì)量可靠的硅片供應(yīng)。由于該企業(yè)主要采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備和具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)（河北工業(yè)大學(xué)），同時(shí)，價(jià)格較為低廉的國(guó)產(chǎn)基礎(chǔ)原材料（高純多晶硅）即將實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，再加上我們價(jià)格較低、素質(zhì)較高的勞動(dòng)力和良好的管理，晶隆的半導(dǎo)體級(jí)單晶片產(chǎn)品將有很強(qiáng)的國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力，在滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求的同時(shí)，還可以大量出口。



 我國(guó)目前在建和將建的超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線(xiàn)將陸續(xù)投產(chǎn)。到2010年，投產(chǎn)總數(shù)將在20條線(xiàn)以上，對(duì)半導(dǎo)體級(jí)硅片的需求將達(dá)上千萬(wàn)片。晶隆半導(dǎo)體廠(chǎng)將根據(jù)市場(chǎng)發(fā)展，及時(shí)增加集成電路級(jí)硅單晶和硅片產(chǎn)量，以滿(mǎn)足我國(guó)市場(chǎng)的巨大需求。



 （二）英利新能源有限公司



 保定英利新能源有限公司是為承建國(guó)家“年產(chǎn)3ＭＷ多晶硅太陽(yáng)能電池及應(yīng)用系統(tǒng)示范工程”項(xiàng)目而組建的股份制公司，位于保定國(guó)家高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)。該項(xiàng)目1999年國(guó)家計(jì)委批復(fù)項(xiàng)目可研后，工程建設(shè)基本在按計(jì)劃進(jìn)行?，F(xiàn)主廠(chǎng)房已基本完成，面積為10800平方米。部分設(shè)備已購(gòu)進(jìn)。項(xiàng)目主要建設(shè)內(nèi)容是：采用國(guó)際上先進(jìn)的多晶硅太陽(yáng)能技術(shù)，建設(shè)年產(chǎn)3ＭＷ多晶硅太陽(yáng)能電池組件及應(yīng)用系統(tǒng)。項(xiàng)目總投資額為1．57億元，預(yù)計(jì)年銷(xiāo)售額為1．52億元，利稅總額為6169萬(wàn)元，利潤(rùn)總額（稅前）為4574萬(wàn)元。該項(xiàng)目是我國(guó)目前在建的最大太陽(yáng)能電池項(xiàng)目，也是填補(bǔ)我國(guó)多晶硅太陽(yáng)能電池空白的項(xiàng)目。



 在多晶硅太陽(yáng)能電池項(xiàng)目進(jìn)行過(guò)程中，經(jīng)過(guò)周密調(diào)研，英利公司又發(fā)現(xiàn)了新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。這就是將半導(dǎo)體器件生產(chǎn)企業(yè)的廢品硅片，經(jīng)過(guò)特殊處理后，可制作高轉(zhuǎn)換效率的硅單晶太陽(yáng)能電池，其轉(zhuǎn)換效率可高達(dá)14．8－－18％。該企業(yè)現(xiàn)已獲得廢硅片的處理技術(shù)。采用該技術(shù)的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝的后加工工序則和多晶硅電池生產(chǎn)線(xiàn)完全兼容。目前，英利公司和保定天威集團(tuán)已達(dá)成共同投資協(xié)議，在建好國(guó)家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項(xiàng)目的基礎(chǔ)上，再投資3．6億元，增加10ＭＷ的單晶硅和3ＭＷ多晶硅太陽(yáng)能電池組件生產(chǎn)能力，2005年以前分步完成。此舉使英利公司的總生產(chǎn)能力達(dá)到16ＭＷ，總銷(xiāo)售額可達(dá)8億元以上，利潤(rùn)總額可達(dá)到2億元以上。這樣英利公司的總生產(chǎn)能力可居世界第七位?！笆晃濉逼陂g，英利還將和外商合資進(jìn)行更大規(guī)模的太陽(yáng)能電池項(xiàng)目建設(shè)，使總生產(chǎn)能力達(dá)上百ＭＷ，成為全球最大的太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)基地。



 （三）國(guó)瑞電子材料有限公司



 國(guó)瑞電子材料有限公司是中國(guó)有色金屬研究總院在廊坊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)創(chuàng)辦的化合物半導(dǎo)體材料企業(yè)。該企業(yè)目前主要是采用水平法生產(chǎn)砷化鎵單晶和晶片，產(chǎn)品主要用于高亮度發(fā)光器件和半導(dǎo)體激光器件。企業(yè)現(xiàn)有單晶爐20臺(tái)，年產(chǎn)砷化鎵單晶體1．65噸，單晶片10萬(wàn)片。是目前國(guó)內(nèi)最大的水平砷化鎵單晶生產(chǎn)企業(yè)，產(chǎn)量占全國(guó)的50％，產(chǎn)品主要出口國(guó)外。2001年7月國(guó)家計(jì)委批復(fù)“水平砷化鎵晶片高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”項(xiàng)目可研，其主要建設(shè)內(nèi)容為：再增加40臺(tái)單晶爐，使總產(chǎn)量達(dá)到5噸，晶片產(chǎn)量達(dá)到29萬(wàn)片。屆時(shí)該企業(yè)在世界上的位次將可排到第四位。擴(kuò)建項(xiàng)目總投資約5600萬(wàn)元。該項(xiàng)目的建設(shè)，已與中鋁集團(tuán)和中信集團(tuán)達(dá)成合資協(xié)議，兩公司各投入2000萬(wàn)元入股。砷化鎵晶片經(jīng)外延加工后，還將大幅度提高附加價(jià)值。由于國(guó)瑞公司水平砷化鎵主要設(shè)備均為國(guó)產(chǎn)，其價(jià)格只有進(jìn)口設(shè)備的四分之一。主要原材料國(guó)內(nèi)資源充足，用自有的技術(shù)進(jìn)行提純并制造單晶，所以最終產(chǎn)品砷化鎵晶片具有很強(qiáng)的國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。



 液封直拉法生產(chǎn)的砷化鎵單晶主要用于制造高速集成電路和大功率微波器件。國(guó)瑞公司現(xiàn)正在加緊進(jìn)行直拉法產(chǎn)業(yè)化前的各項(xiàng)準(zhǔn)備。4英寸的產(chǎn)品可望近期拉制成功，6英寸直拉單晶也將在不久的將來(lái)被攻破?！笆晃濉逼陂g，除水平單晶產(chǎn)量繼續(xù)擴(kuò)大外，直拉單晶也要實(shí)現(xiàn)相當(dāng)規(guī)模的生產(chǎn)。



 此外，有色研究總院也在加緊研究磷化鎵、氮化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化問(wèn)題，條件成熟時(shí)也將在國(guó)瑞公司投入生產(chǎn)。屆時(shí)，國(guó)瑞公司將成為我國(guó)及世界上綜合性化合物半導(dǎo)體材料大型開(kāi)發(fā)生產(chǎn)基地。



 （四）河北普興電子材料有限公司



 河北普興電子材料有限公司是以信息產(chǎn)業(yè)部第13研究所半導(dǎo)體材料研究室外延課題組為基礎(chǔ)，加13所內(nèi)部職工集資，于2000年11月組建的高科技股份制企業(yè)。企業(yè)的主要業(yè)務(wù)是，依托13所現(xiàn)有技術(shù)和條件，開(kāi)發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件級(jí)硅外延片。所謂外延，是在高溫下通過(guò)化學(xué)氣相反應(yīng)，在拋光的硅單晶片上生長(zhǎng)一層或多層晶格匹配的硅單晶膜，從而改善功率和串連電阻，消除閂鎖及軟失效，減少材料缺陷，提高半導(dǎo)體器件的成品率和性能。目前，全世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需的硅片約有25％左右需要外延，而且這一比例還在不斷上升。硅外延片的生產(chǎn)，是半導(dǎo)體材料生產(chǎn)工序中最后和關(guān)鍵的一環(huán)。產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)是：技術(shù)難度大，增值效益高，需具有雄厚的技術(shù)支撐和驗(yàn)證條件，不是一般企業(yè)所能從事的產(chǎn)業(yè)。



 普興公司成立后的第一年，僅依靠已有的一臺(tái)舊式俄羅斯外延爐就生產(chǎn)了5萬(wàn)片4英寸硅外延片，銷(xiāo)售額600余萬(wàn)元，利潤(rùn)200余萬(wàn)元。現(xiàn)正在進(jìn)行的擴(kuò)建工程將于2002年完成后，該項(xiàng)目的主要內(nèi)容是新增外延爐3臺(tái)（第一臺(tái)已經(jīng)投產(chǎn)），年產(chǎn)硅外延片20萬(wàn)片，年銷(xiāo)售額5000萬(wàn)元，利潤(rùn)1500－－2000萬(wàn)元。2005年前，企業(yè)將完成下一步的擴(kuò)建工程。主要建設(shè)內(nèi)容是再引進(jìn)5臺(tái)以上外延爐及相關(guān)設(shè)備，增加外延片生產(chǎn)能力40萬(wàn)片以上，新增銷(xiāo)售收入1億元以上，利潤(rùn)3000萬(wàn)元以上。初步建成我國(guó)北方外延片產(chǎn)業(yè)基地。2006－－2010年，將是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的時(shí)代，外延片市場(chǎng)需求將急劇上升。為此，普興公司還將根據(jù)市場(chǎng)發(fā)展，進(jìn)一步加大投資力度，成數(shù)倍地?cái)U(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。



 在技術(shù)上發(fā)展方向上，普興公司主要是開(kāi)發(fā)生產(chǎn)8英寸及以上大直徑、高檔次硅外延片產(chǎn)品。同時(shí)突破鍺硅（ＧｅＳｉ／Ｓｉ）材料關(guān)鍵技術(shù)，即在硅片上通過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出鍺硅外延層，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。此項(xiàng)目的完成，將為大批量生產(chǎn)的民用高頻器件提供廉價(jià)的半導(dǎo)體材料，大大降低器件成本，在移動(dòng)通信和其它許多領(lǐng)域取代價(jià)格昂貴的砷化鎵器件，從而使相關(guān)民用產(chǎn)品的價(jià)格進(jìn)一步下降。此外，在“十五”期間，普興公司還將突破絕緣物半導(dǎo)體材料（ＳＯＩ）的技術(shù)難關(guān)，以滿(mǎn)足我國(guó)宇航和軍工的急需（現(xiàn)全部需要進(jìn)口）。



 另外，秦皇島華美光電設(shè)備公司是我國(guó)建成較早的單晶硅太陽(yáng)能電池企業(yè)之一，年產(chǎn)量為0．6ＭＷ，轉(zhuǎn)換效率14％左右。但由于其過(guò)高的債務(wù)，現(xiàn)只能維持簡(jiǎn)單再生產(chǎn)。數(shù)年來(lái)，不少單位看好太陽(yáng)能電池的市場(chǎng)和華美的技術(shù)、管理及市場(chǎng)信息，與其多次探討過(guò)合資合作，由于其過(guò)高的負(fù)債，至今未取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。從目前情況看，華美公司只有通過(guò)資產(chǎn)重組，甩掉沉重的債務(wù)包袱，才能取得良好的發(fā)展。河北工業(yè)大學(xué)是我國(guó)主要半導(dǎo)體材料專(zhuān)業(yè)的教學(xué)和科研基地之一。近幾年，在半導(dǎo)體材料專(zhuān)業(yè)的若干領(lǐng)域獲得突破。在我省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，是可依托的重要技術(shù)基地。特別值得一提的是，在硅鍺混合材料方面，他們?cè)趪?guó)內(nèi)率先開(kāi)發(fā)出了單晶設(shè)備，拉制出實(shí)用單晶產(chǎn)品，掌握了全套工藝。這對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體材料的發(fā)展具有重大意義。



 三、發(fā)展思路及發(fā)展目標(biāo)



 （一）發(fā)展思路



 充分利用我省現(xiàn)有半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，以寧晉晶隆半導(dǎo)體廠(chǎng)、保定英利新能源有限公司、國(guó)瑞電子材料有限公司、河北普興電子材料有限公司等企業(yè)為依托，發(fā)揮成熟的技術(shù)和后續(xù)開(kāi)發(fā)能力的優(yōu)勢(shì)，抓住當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機(jī)遇，重點(diǎn)組織實(shí)施一批半導(dǎo)體材料示范工程項(xiàng)目，鞏固我省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)在世界上的競(jìng)爭(zhēng)地位；創(chuàng)造良好的發(fā)展環(huán)境，通過(guò)強(qiáng)有力的政策導(dǎo)向，實(shí)現(xiàn)新的突破和跨越式發(fā)展，把我省建成世界級(jí)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地。



 （二）發(fā)展目標(biāo)



 1、產(chǎn)量方面



 到2005年太陽(yáng)能級(jí)單晶硅材料產(chǎn)量達(dá)到400噸以上，硅片產(chǎn)量600－－800萬(wàn)片；硅外延片產(chǎn)量80－－100萬(wàn)片，其中高附加值的鍺硅和絕緣物材料占20－－25％；砷化鎵單晶產(chǎn)量達(dá)8－－10噸，晶片產(chǎn)量達(dá)40－－50萬(wàn)片，大部晶片經(jīng)過(guò)拋光和外延加工；太陽(yáng)能電池及組件總產(chǎn)量達(dá)20ＭＷ以上。主要產(chǎn)品銷(xiāo)售總額達(dá)到15－－20億元，利潤(rùn)總額3－－4億元?！笆晃濉逼陂g將成為產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展時(shí)期。產(chǎn)業(yè)規(guī)模急劇擴(kuò)大，各主要產(chǎn)品產(chǎn)量將擴(kuò)大數(shù)倍至數(shù)十倍，各項(xiàng)新產(chǎn)品不斷投入規(guī)?；a(chǎn)，產(chǎn)品銷(xiāo)售額100－－150億元。各主要產(chǎn)品產(chǎn)量位居世界前列。



 2、科技進(jìn)步方面



 到2005年，半導(dǎo)體級(jí)單晶硅和硅片、磷化鎵、氮化鎵等其它化合物半導(dǎo)體材料，外延鍺硅材料、絕緣物半導(dǎo)體材料，直拉大直徑（6英寸及以上）砷化鎵單晶及晶片等，實(shí)現(xiàn)中試或形成一定規(guī)模的產(chǎn)業(yè)。進(jìn)一步提高多晶硅及單晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，改進(jìn)工藝，降低成本。開(kāi)發(fā)更高轉(zhuǎn)換效率的新型太陽(yáng)能電池品種。



 3、拓展新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)域方面



 半導(dǎo)體材料的發(fā)展可為半導(dǎo)體器件的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在此首先考慮砷化鎵高速集成電路、大功率微波器件和組件的規(guī)?；a(chǎn)。鍺硅材料的研制成功并實(shí)現(xiàn)一定規(guī)模的產(chǎn)量，可利用13所現(xiàn)有硅生產(chǎn)線(xiàn)大量生產(chǎn)高頻鍺硅器件和組件，進(jìn)一步大幅度提高附加值。各類(lèi)高頻器件的大量生產(chǎn)，還可結(jié)合54所ＣＯＭＥＲＣ的基帶部分（微信號(hào)處理）發(fā)展高頻率資源利用率的無(wú)線(xiàn)接入系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的超額增值。再可考慮的項(xiàng)目是規(guī)模化生產(chǎn)的高反壓、大功率電力電子器件，替代進(jìn)口，使我國(guó)的電力電子設(shè)備產(chǎn)業(yè)獲得大踏步發(fā)展并大大降低成本。以上各產(chǎn)品，均具有很強(qiáng)的國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力，目前我國(guó)還在大量依靠進(jìn)口，它們的規(guī)?；a(chǎn)，可實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售額數(shù)百億元。



 四、政策及建議



 我省具有優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體材料，相當(dāng)一部分是太陽(yáng)級(jí)硅單晶、多晶材料和發(fā)光管材料，不屬于集成電路產(chǎn)品，故不能享受?chē)?guó)務(wù)院國(guó)發(fā)〔2000〕18號(hào)文件中的有關(guān)優(yōu)惠政策；半導(dǎo)體級(jí)材料，雖有很好的技術(shù)基礎(chǔ)，但也處于起步階段。為促進(jìn)我省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)，提出以下建議：



 （一）積極落實(shí)好《河北省人民政府印發(fā)關(guān)于加快我省軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干規(guī)定的通知》（冀政〔2001〕21號(hào)文件規(guī)定的優(yōu)惠政策條款，使企業(yè)最大限度的享受優(yōu)惠政策，促進(jìn)我省半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。



 （二）最近國(guó)家已頒布關(guān)于鼓勵(lì)小水電、太陽(yáng)能和風(fēng)能等綠色能源發(fā)展的若干政策，我省應(yīng)抓住這一機(jī)遇，根據(jù)我省實(shí)際，及時(shí)制訂相應(yīng)的實(shí)施辦法，將與太陽(yáng)能相關(guān)的硅單晶、多晶材料包括到享受優(yōu)惠政策的范圍內(nèi)。



 （三）加大政府對(duì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)的資金調(diào)控力度，進(jìn)一步加大省政府調(diào)控的“四公司一中心”對(duì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)投資。同時(shí)，還可以考慮以河北省金匯科技投資有限公司為依托，爭(zhēng)取國(guó)家計(jì)委擬開(kāi)設(shè)的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化風(fēng)險(xiǎn)投資入股，建立我省用于支持高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的專(zhuān)項(xiàng)風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)構(gòu)，以加強(qiáng)對(duì)相關(guān)高技術(shù)企業(yè)的支持力度。這將對(duì)我省高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整產(chǎn)生重大影響。



 （四）加大落實(shí)國(guó)務(wù)院國(guó)發(fā)〔2000〕18號(hào)文有關(guān)優(yōu)惠政策力度。一是鼓勵(lì)現(xiàn)有集成電路企業(yè)，進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)能力，形成規(guī)模效益。二是引導(dǎo)現(xiàn)有太陽(yáng)能級(jí)半導(dǎo)體材料企業(yè)，積極與重點(diǎn)科研院所、大專(zhuān)院校進(jìn)行技術(shù)合作，建立起牢固的產(chǎn)學(xué)研合作，在政策和資金的支持下，大力研究開(kāi)發(fā)集成電路級(jí)半導(dǎo)體材料，充分發(fā)揮現(xiàn)有優(yōu)勢(shì)，為國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)提供質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的原材料。